birmaga.ru
добавить свой файл

1
  1. Классификация и характеристики материалов электронной техники, особенности технологии их производства.


1.1. Методы контроля чистоты материалов. Общая характеристика процессов разделения и очистки веществ. Сорбционные процессы разделения и очистки веществ. Разделение и очистка веществ с помощью процессов жидкостной экстракции, кристаллизационных процессов, процессов перегонки через газовую фазу.

1.2. Основные электрофизические свойства элементарных полупроводников и полупроводниковых соединений. Чувствительность к примесям и дефектам. Требования к веществам, химическим реактивам, газам, воде, окружающей атмосфере. Требования к полупроводниковым материалам. Диаграммы состояний. Кривые растворимости. Явление сегрегации. Методы очистки полупроводниковых материалов. Особенности технологии получения германия, кремния, соединений 3 и 5 групп, соединений 2 и 6 групп, сложных полупроводниковых соединений.


  1. Выращивание монокристаллов и эпитаксиальных пленок

2.1. Равновесие между фазами. Процессы массо и теплопереноса в гетерогенных системах. Явления на границе раздела фаз. Условия образования и роста зародышей. Рост без образования зародышей.

2.2. Методы выращивания кристаллов.

2.3. Методы получения эпитаксиальных пленок.

2.4. Типы и причины появления дефектов кристаллической структуры.

2.5. Влияние дефектов кристаллической структуры на свойства материалов и приборов, методы борьбы с дефектами кристаллической структуры.


  1. Получение и обработка полупроводниковых пластин.

    1. Цель механической обработки. Методы ориентации кристаллов. Резка, шлифовка, полировка.

    2. Нарушенный слой. Химико-динамическая полировка поверхности пластин.

    3. Чистота поверхности. Виды загрязнения, методы контроля и очистки поверхности пластин. Мойка и сушка пластин.

    4. Детектирование и удаление микрочастиц с поверхности пластин.





  1. Формирование тонких пленок.

4.1. Вакуумное осаждение тонких пленок. Стадии роста, микроструктура.

4.2. Механические свойства тонких пленок, адгезия, механические напряжения.

4.3. Термическое испарение.

4.4. Взаимодействие частиц высокой энергии с веществом.

4.5. Катодное распыление. Процессы в тлеющем разряде. Реактивное катодное распыление.

4.6. Химическое осаждение тонких пленок. Осаждение из паровой фазы. Области применения.

4.7. Осаждение оксида кремния, нитрида кремния, оксинитрида кремния. Поликремний.

Осаждение металлов, силицидов и нитридов металлов.

4.8. Электрохимические методы осаждения слоев металлов. Лазерная обработка материалов.


  1. Базовые процессы планарной технологии кремниевых интегральных схем

5.1. Окисление кремния. Механизмы и кинетика термического окисления.

5.2. Свойства пленок оксида кремния и их роль в технологии интегральных схем. Анодное окисление кремния.

5.3. Диффузия. Механизмы и математическое описание процессов диффузии. Источники примесей. Особенности стеклообразного состояния. Методы нанесения пленок стекол из жидкой фазы.

5.4. Стимулированная диффузия. Распределение примеси в реальных диффузионных структурах.

5.5. Механизм ионного внедрения. Пробеги и дисперсия пробегов ионов.

5.6. Ионная имплантация. Радиационные нарушения и их устранение.

5.7. Ионная, плазменная и лучевая обработка материалов. Классификация процессов. Источники частиц. Формирование пучков.

5.8. Травление. Жидкостное травление Виды травителей. Парогазовое и ионно-плазменное травления.

5.9. Литография. Физико-химические основы фотолитографии. Фоторезисты. Шаблоны. Рентгеновская литография. Электронная литография.



  1. Технологии, перспективные для производства интегральных микросхем и микросистем.

6.1. Физико-технологические и экономические ограничения интеграции и миниатюризации.

6.2. Типовые технологические маршруты создания интегральных схем.

6.3. Формирование резисторов в интегральных схемах. Формирование конденсаторов в интегральных схемах. Формирование активных областей и каналов.

6.4. Изоляция приборов в интегральных схемах. Создание контактов и межсоединений. Межслойная изоляция.

6.5. Разделение пластины на кристаллы. Монтаж и корпусирование интегральных схем.

6.6. Стимулирование технологических процессов. Применение ионных и плазменных технологий.

6.7. Интеграция технологических процессов. Замкнутые технологические циклы.