birmaga.ru
добавить свой файл

1
1. Название статьи.


Твердотельная фотоэлектроника: сегодня и завтра.

Solid-state photoelectronics: today and tomorrow.
2. Сведения об авторах.

ФГУП «НПО «Орион», Москва, Россия.

Тришенков Михаил Алексеевич, проф., д.т.н., matrischenkov@mail.ru.

Таубкин Игорь Исаакович, проф., д.т.н..

Филачёв Анатолий Михайлович, член-корр. РАН.
FGUP “NPO “Orion”, Moscow, Russia.

Trischenkov Mihail Alekseeevich, Prof., ScD., matrischenkov@mail.ru.

Taubkin Igor Isaakovich, Prof., ScD.

Filachev Anatoli Mihailovich, Associate of the Russian Academy of Sciences.
3. Аннотация.
Аннотация.
В обзоре проанализировано состояние современной твердотельной фотоэлектроники. Рассмотрены фотоприемники на все основные диапазоны спектра − от ультрафиолетового до дальнего инфракрасного. Приведен достигнутый уровень параметров приборов – фотодиодов, лавинных фотодиодов, фотоприёмных устройств и фокально-плоскостных матриц. Рассмотрены тенденции и основные направления развития фотоэлектроники, прежде всего, направление матричных фотоприемников с лавинным размножением для систем оптической локации, для формирования 3D-изображений и других приложений.
Abstract: The review analyses the condition of modern solid-state photoelectronics. Photodetectors for all principal wavelength ranges (from ultraviolet till far infrared ranges) are considered. The achieved levels of characteristics are shown for various devices: photodiodes, avalanche photodiodes, photodetecting assemblies and infrared focal plane arrays. The trends and the main districts of photoelectronics development are considered, first of all, for array photodetectors with avalanche multiplication designed for optical detection and ranging systems, 3D-images forming and other applications.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова. Твердотельная фотоэлектроника; фокально-плоскостная матрица; 3D-изображение; ПЗС; фотодиод; лавинный фотодиод; ультрафиолетовый фотоприём-ник; инфракрасный фотоприёмник; обнаружительная способность; температурная чувствительность; пиксел.

The key words: Solid-state photoelectronics; infrared focal plane array; 3D-image; CCD; photodiode; avalanche photodiode; ultraviolet photodetector; infrared photodetector; detectivity; temperature sensitivity; pixel.

1. Название статьи.

Структура системы управления топологической точностью микролитографии.

Structure of microlithography topological accuracy control system.
2. Сведения об авторах.

МГТУ им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия.

Цветков Юрий Борисович, проф., д.т.н., tsvetkov@bmstu.ru.
Moscow State Technical University n.a. N.E. Bauman, Russia.

Tsvetkov Yuri Borisovich, Prof., ScD, tsvetkov@bmstu.ru.
3. Аннотация.

Аннотация.
Проанализированы источники топологических ошибок в процессе микролитографии (МЛ) при производстве изделий микроэлектроники с целью методического и математического обеспечения топологической точности МЛ.
Abstract: Sources of topological errors during the process of microlithography (for microelectronic devices production) were analyzed for the purpose of methodological and mathematical support.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова. микролитография; топологическая точность; микроструктура; субмикронная технология.
The key words: microlithography; topological accuracy; microstructure; submicron technology.

1. Название статьи.

Исследование на ЭВМ связи пробивного напряжения HFET на основе GaAs с размерами затворной полевой обкладки.

Investigation of the HFET breakdown voltage and gate fieldplate dimensions interconnection by computer simulation.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Зубков Александр Михайлович, к.т.н., amzubkov@pulsarnpp.ru.

Гарбер Геннадий Зеликович, проф., д.т.н, pulsar@dol.ru.

Малеев Сергей Анатольевич, аспирант, pulsar@dol.ru.

FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Zubkov Alexander Mihailovich, PhD, amzubkov@pulsarnpp.ru.

Garber Genadiy Zelicovich, ScD., pulsar@dol.ru.

Maleev Sergey Anatolievich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.
3. Аннотация.
Аннотация. Разработана программа двумерного моделирования полевых транзисторов с барьером Шоттки и гетеропереходами под затвором (HFET), учитывающая лавинное умножение носителей тока. С помощью моделирования на ЭВМ показано, что наличие соединенной с затвором полевой обкладки слабо влияет на пробивное напряжение HFET с буферным слоем из GaAs, хотя заметно уменьшает ток затвора. Для значительного увеличения пробивного напряжения необходимо исключить лавинное умножение в буферном слое. Полевая обкладка ухудшает усилительные свойства HFET, но коэффициент усиления остается приемлемым вплоть до Х-диапазона

частот.
Abstract: It is developed the HFET two dimensional simulation software, witch takes into account the current carries avalanche multiplication. Using simulation it is shown that the gate field-modulating plate slow influences on breakdown voltage of the HFET with GaAs buffer layer, but essentially decrease the gate current. It is necessary to exclude the current carries avalanche multiplication in buffer layer for breakdown voltage increasing. The gate field-modulating plate decrease HFET gain, but it remains acceptable up to X – frequency band.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: полевой транзистор с гетеропереходом; затворная полевая обкладка; пробивное напряжение; автоматизированное проектирование.
The key words: heterojunction field-effect transistor; gate field-modulating plate; breakdown voltage; computer aided design.

1. Название статьи.

СВЧ ГИС десятиваттного трехразрядного аттенюатора для выходного каскада усилителя мощности C-диапазона.

Ten watt three bit microwave integrated circuit of the attenuator for the C-Band power amplifier output stage.

2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Аболдуев Игорь Михайлович, к.т.н., pulsar@dol.ru.

Вальд-Перлов Виктор Михайлович, д.т.н., pulsar@dol.ru.

Гарбер Геннадий Зеликович, проф., д.т.н., pulsar@dol.ru.

Зубков Александр Михайлович, к.т.н., amzubkov@pulsarnpp.ru.

Красильников Валентин Дмитриевич, pulsar@dol.ru.

Миннебаев Вадим Минхатович, к.т.н., pulsar@dol.ru.

Малеев Сергей Анатольевич, аспирант, pulsar@dol.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Abolduev Igor Mihailovich, PhD, pulsar@dol.ru.

Vald-Perlov Victor Mihailovich, ScD, pulsar@dol.ru.

Garber Genadiy Zelicovich,prof., ScD, pulsar@dol.ru.

Zubkov Alexander Mihailovich, PhD, amzubkov@pulsarnpp.ru.

Krasilnikov Valentin Dmitrievich, pulsar@dol.ru.

Minnebaev Vadim Minhatovich, PhD, pulsar@dol.ru.

Maleev Sergey Anatolievich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.
3. Аннотация.
Аннотация. Разработана двухкаскадная СВЧ гибридная интегральная схема (ГИС) аттенюатора. Начальные потери ГИС не превышают 1 дБ. Управляемое дополнительное ослабление меняется от 1 до 7 дБ через 1 дБ. При входной мощности 10 Вт перегрев активной области управляющих p-i-n диодов относительно обратной стороны подложки ГИС не превышает 40 К, а максимальный перегрев резисторов 90 К. P-i-n диоды открываются током 100 мА, запираются напряжением -50 В.
Abstract: Two stage C-band power attenuator MIC has been developed. Initial losses do not exceed 1,0 dB. Highest controlled additional attenuation is 7dB with 1dB discrete. At 10W input power the overheat of active area of operating p-i-n diodes concerning an carrier does not exceed 40K, resistors highest overheat does not exceed 90K. Diodes are opened by 100mA direct current, and locked by -50V reverse voltage.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: СВЧ мощность; гибридные интегральные схемы; аттенюатор; арсенид-галлиевые p-i-n диоды; автоматизированное проектирование.

The key words: microwave power; hybrid integrated circuit; attenuator; gallium arsenide p-i-n diode; computer aided design.

1. Название статьи.

Моделирование теплопереноса в тонких пленках.

Thin layers heat transfer modelling.
2. Сведения об авторах.

Самарский государственный аэрокосмический университет, Россия.

Тукмаков Константин Николаевич, аспирант, nickonsoft@mail.ru.

Архипов Алексей Владимирович, к.т.н., rtf@ssau.ru.
Samara State Aerospace University, Russia.

Tukmakov Konstantin Nikolaevich, post-graduate student, nickonsoft@mail.ru.

Arhipov Aleksey Vladimirovich, PhD, rtf@ssau.ru.
3. Аннотация.
Аннотация.

Рассмотрено моделирование распределения температуры в тонкопленочном проводнике под давлением электрического тока. Полученная модель имеет динамический характер, то есть позволяет определить температуры по поверхности проводника в любой момент времени на основе пошагового расчета. Полученная модель позволяет учитывать собственное поле температур подложки. Модель оперирует локальными параметрами проводника, получаемыми в результате отдельного моделирования.
Abstract: modeling of temperature distribution in a thin layer conductor under the pressure of electrical current is considered. The given model is dynamic so it allows define surface temperature distribution for conductor every time by step by step solving. The given model allows take into account temperature fields of the substrate. The model operated by local parameters of the conductor which are extracted from special simulation.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: тепловое моделирование; микроэлектроника; надежность; выход годных.
The key words: thermal modeling; microelectronics; reliability; yield.

1. Название статьи.

Матричные фоточувствительные приборы с зарядовой связью для приема движущегося изображения.


CCD scan sensors for detecting of a moving image.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Маклаков Алексей Михайлович, аспирант, pulsar@dol.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Maklakov Aleksey Mihailovich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.
3. Аннотация. В статье рассмотрены различные конструктивные решения приборов с зарядовой связью, работающих в режиме временной задержки и накопления заряда, результаты моделирования фотоячейки и выходного сдвигового регистра ПЗС с ВЗН, а также вопросы технологии изготовления стоп-каналов ПЗС с ВЗН.
Abstract: TDI line scan sensors with pixel size 7um x 7um and 6 um x 6 um, with exposure control, technology process and result two-dimensional modeling of cell as reported.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: приборы с зарядовой связью, фотоячейка, регистрация движущегося изображения, чувствительность.
The key words: CCD; TDI mode; moving object sensors; sensitivity.

1. Название статьи.

Оптимизация комплементарного биполярного технологического процесса изготовления ИМС с использованием САПР TCAD.

Optimization of a complementary bipolar process for MMIC fabrication using TCAD.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Виноградов Роман Николаевич, pulsar@dol.ru.

Дроздов Дмитрий Геннадьевич, аспирант, pulsar@dol.ru.

Корнеев Сергей Викторович, аспирант, pulsar@dol.ru.

Савченко Евгений Матвеевич, аспирант, pulsar@dol.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Vinogradov Roman Nikolaevich, pulsar@dol.ru.

Drozdov Dmitri Gennadievich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.

Korneev Sergey Victorovich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.

Savchenko Evgeni Matveevich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.

3. Аннотация.


Аннотация. Представлены результаты оптимизации комплементарного биполярного технологического процесса с использованием современной системы автоматизированного проектирования TCAD компании SYNOPSYS. Определены предельные возможности варьирования технологических режимов с целью увеличения пробивного напряжения изоляционного кармана p-n-p транзистора.
Abstract: optimization results of a complementary bipolar process are presented. The results are obtained using TCAD of SYNOPSYS. Maximum possible variation of parameters of technological regime with a purpose to gain breakdown voltage of isolation well of p-n-p are defined.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: комплементарная биполярная технология; TCAD; напряжение пробоя; изоляционный карман; диффузия.
The key words: complementary bipolar process; TCAD; breakdown voltage; isolation well; diffusion.

1. Название статьи.

Выбор оптимального маршрута моделирования диффузионных процессов с использованием САПР TCAD.

Choice of an optimum route diffusion processes design with use TCAD
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Виноградов Роман Николаевич, pulsar@dol.ru.

Дроздов Дмитрий Геннадьевич, аспирант, pulsar@dol.ru.

Корнеев Сергей Викторович, аспирант, pulsar@dol.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Vinogradov Roman Nikolaevich, pulsar@dol.ru.

Drozdov Dmitri Gennadievich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.

Korneev Sergey Victorovich, post-graduate student, pulsar@dol.ru.
3. Аннотация.

Аннотация. В статье рассматривается методика расчёта диффузионных процессов с использованием современных средств приборно-технологического моделирования (САПР TCAD компании SYNOPSYS). Показано влияние модели расчёта, атмосферы процесса, а также других факторов на параметры диффузионных слоёв.

Abstract: In article the design procedure of diffusion processes with use of modern means of technological modeling is considered (TCAD of Synopsys). Influence of calculation model, process atmosphere, and as other factors on parameters of diffusion layers is shown

.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: САПР TCAD; DIOS; SPROCESS; диффузия; методика моделирования.
The key words: TCAD; DIOS; SPROCESS; diffusion; simulation method.
1. Название статьи.

Расчёт схем считывания зарядов мультиплексоров на ПЗС.

Design of output circuits for CCD multiplexers.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Завадский Юрий Иванович, к.ф-м.н., yuizavad@mtu-net.ru.

Кузнецов Юрий Алексеевич, к.т.н., kuznetsov@pulsarnpp.ru.

Хотянов Борис Михайлович, к.т.н., greta-tesh@yandex.ru.

Чернокожин Владимир Викторович, к.т.н., achernok@mail.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Zavadsky Yuri Ivanivich, PhD, yuizavad@mtu-net.ru.

Kuznetsov Yuri Alekseevich, PhD, kuznetsov@pulsarnpp.ru.

Khotyanov Boris Mihailovich, PhD, greta-tesh@yandex.ru.

Chernokozhin Vladimir Victorovich, PhD, achernok@mail.ru.

3. Аннотация. Сформулированы условия работоспособности и предложена методика расчёта схем считывания с диффузионной областью и двухкаскадным истоковым повторителем мультиплексоров на ПЗС, предназначенных для гибридных ИК фотоприёмных устройств. Указанная методика позволяет минимизировать статическую мощность, рассеиваемую схемой считывания на кристалле (при введении ряда условий на квазистатические параметры схемы). Достоинством описываемой методики является то, что она даёт возможность произвести расчёт выходной схемы ”вручную”, без использования компьютера, требующего написания специальной компьютерной программы. Это значительно упрощает процесс проектирования выходной схемы.


Abstract: Operating conditions are formulated and design methods are suggested for output circuits with diffusion and two-stage source follower for hybrid IR imagers CCD multiplexers. These methods make it possible to minimize the static power, dissipated by the output circuit on a chip (with the help of introduction of several conditions on quasi-static performances of this circuit). The advantage of the described methods is the fact that it gives the possibility of calculating the output circuit without using the computer which requires itself the creation of a special computer programme. This simplified the process of the output circuit design greatly.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: ПЗС; МДП-транзистор; ИК; фотоприёмное устройство; гибридный; мультиплексор; регистр; выходная схема; истоковый повторитель; двухкаскадный; заряд; напряжение; мощность; проектирование; минимизация; методика.
The key words: CCD; MOS-transistor; IR; imaging device; hybrid; multiplexer; register; output circuit; source follower; two-stage; charge; voltage; power; design; minimization; methods.
1. Название статьи.

Методика оценки эффективности промышленного выпуска силовых МДП-транзисторов в однокристальном и многокристальном исполнении.

Estimation method of efficiency of commercial production of power MIS-transistor in single chip and multi-chip implementation.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Бачурин Виктор Васильевич, pulsar@dol.ru.

Пекарчук Татьяна Николаевна, pulsar@dol.ru.

Крымко Михаил Миронович, к.т.н., pulsar@dol.ru.

Сопов Олег Вениаминович, проф., д.т.н., pulsar@dol.ru.
FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Bachurin Viktor Vasilievich, pulsar@dol.ru.

Pekarchuk Tatiyana Nikolaevna, pulsar@dol.ru.

Crimko Mihail Mironovich, PhD, pulsar@dol.ru.

Sopov Oleg Venniaminovich, Prof., ScD, pulsar@dol.ru.

3. Аннотация. Проанализированы динамика развития и достигнутый уровень основных электрических параметров кремниевых силовых МДП - транзисторов за прошедшие двадцать лет. Разработана методика количественной оценки эффективности промышленного выпуска данных приборов в однокристальном и многокристальном исполнении. Получены аналитические соотношения, позволяющие оценить ожидаемое количество годных кристаллов на пластине и необходимые затраты кремния для их изготовления в зависимости от диаметра и толщины исходных кремниевых пластин, их дефектности, топологических размеров кристалла, ширины линий реза, количества запараллеливаемых кристаллов в транзисторе или модуле.
Abstract: evolution dynamic and reached level of electrical parameters of silicon power MIS-transistors for the last two decade is analyzed. Method of quantitative estimation of efficiency of commercial production of the devices in single chip and multi-chip implementation is developed. Analytical equations for estimation of yield and necessary silicon for fabrication are derived dependent on silicon wafer diameter and thickness, their presence of defects, topological dimension of the transistor chip, scribe margin, number of chip in parallel in a transistor or a module.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: МДП - транзистор; силовой модуль; выход годных; многокристальный транзистор.
The key words: MIS-transistor; power module; yield; multi-chip transistor.
1. Название статьи.

КМОП микросхема матричного фотоприемника видимого диапазона формата 256х256 ячеек.

CMOS 256х256 pixels image sensors.
2. Сведения об авторах.

«ФГУП «НПП ПУЛЬСАР», Москва, Россия.

Бородин Дмитрий Владиленович, к.ф-м.н, dvb1@inbox.ru.

Осипов Юрий Владимирович, osipov58@inbox.ru.

Скрылёв Александр Сергеевич, к.т.н., лауреат государственной премии, askrylev@pulsarnpp.ru.

ОАО «РТК «Инпекс»


Васильев Владимир Викторович, rtcinpex@mail.ru.

FSUE “S&PE “Pulsar”, Moscow, Russia.

Borodin Dmitri Vladilenovich, PhD, dvb1@inbox.ru.

Osipov Yuri Vladimirovich, osipov58@inbox.ru.

Skrylev Aleksander Sergeevich, PhD, The winner of state prize, askrylev@pulsarnpp.ru.

Joint-Stock Company “RTC “Inpeks”

Vasiliev Vladimir Viktorovich, rtcinpex@mail.ru.
3. Аннотация.

Аннотация. Разработана, изготовлена в России по технологии 0,8 мкм КМОП 1Si 2Al и в основном исследована тестовая микросхема матричного фотоприемника видимого диапазона формата 256х256 трехтранзисторных ячеек размером 12х12 мкм. Получена интегральная чувствительность 7 В/лк*с, получены изображения. Показана принципиальная возможность создания фотоматриц формата до 1 мегапиксей на отечественной технологической базе
Abstract: MMIC of a matrix photodetector of a visible range of a format in 256x256 transistors array size 12x12 mkm is developed, made and investigated in Russia on CMOS 0,8 mkm technology (1Si 2Al). Summary sensitivity is 7 V/Luk*s, images are received. Basic possibility of creation of photomatrixes of a format to 1 megapixels on domestic technological base is shown.
4. Ключевые слова.

Ключевые слова: КМОП; фотоприемник; матричный; видимый диапазон.

The key words: CMOS, photodetector, transistors array, visible range