birmaga.ru
добавить свой файл

1 2 3 4
Классификация биполярных и полевых транзисторов.


Классификация и система обозначений.

Классификация транзисторов по их назначению, физиче­ским свойствам, основным электрическим параметрам, кон­структивно-технологическим признакам, роду исходного полу­проводникового материала находит свое отражение в системе условных обозначений их типов. В соответствии с появлением новых классификационных групп транзисторов совершенству­ется и система их условных обозначений.

Система обозначений современных типов транзисторов установлена отраслевым стандартом ОСТ 11336.919—81 и ба­зируется на ряде классификационных признаков. В основу системы обозначений положен буквенно-цифровой код.

Первый элемент обозначает исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор. Для обозначения исходного материала используются следующие символы:

Г или 1 — для германия или его соединений;

К или 2 — для кремния или его соединений;

А или 3 — для соединений галлия (практически для арсенида галлия, используемого для создания полевых транзисто­ров);

И или 4 — для соединений индия (эти соединения для производства транзисторов в качестве исходного материала пока не применяются).

Второй элемент обозначения — буква, определяющая под­класс (или группу) транзисторов. Для обозначения подклассов используется одна из двух букв: Т — для биполярных и П — для полевых транзисторов.

Третий элемент — цифра, определяющая основные функ­циональные возможности транзистора (допустимое значение рассеиваемой мощности и граничную либо максимальную ра­бочую частоту).

Для обозначения наиболее характерных эксплуатационных признаков транзисторов применяются следующие цифры.

Для транзисторов малой мощности (максимальная мощ­ность, рассеиваемая транзистором, не более 0,3 Вт):

1 — с граничной частотой коэффициента передачи тока или максимальной рабочей частотой (далее граничной часто­той) не более 3 МГц;


2 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

3 — с граничной частотой более 30 МГц.

Для транзисторов средней мощности (максимальная мощ­ность, рассеиваемая транзистором, более 0,3, но не более 1,5 Вт):

4 — с граничной частотой не более 3 МГц;

5 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

6 — с граничной частотой более 30 МГц. Для транзисторов большей мощности (максимальная мощ­ность, рассеиваемая транзистором, более 1,5 Вт):

7 — страничной частотой не более 3 МГц;

8 — с граничной частотой более 3, но не более 30 МГц;

9 — с граничной частотой более 30 МГц.

Четвертый элемент — число, обозначающее порядковый номер разработки технологического типа транзисторов. Для обозначения порядкового номера используют двузначные чис­ла от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то применяют трехзначные числа от 101 до 999.

Пятый элемент — буква, условно определяющая класси­фикацию по параметрам транзисторов, изготовленных по единичной технологии. В качестве классификационной литеры при­меняют буквы русского алфавита (за исключением 3, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Ь, Ъ Э).

Стандарт предусматривает также введение в обозначение ряда дополнительных знаков при необходимости отметить от­дельные существенные конструктивно-технологические особен­ности приборов.

.В качестве дополнительных элементов обозначения ис­пользуют следующие символы:

цифра от 1 до 9 — для обозначения модернизаций тран­зисторов, приводящих к изменению его конструкции или элек­трических параметров;

буква С — для обозначения наборов в общем корпусе однотипных транзисторов (транзисторные сборки);

цифра, написанная через дефис,— для бескорпусных тран­зисторов.

Эти цифры соответствуют следующим модификациям конструктивного исполнения:

1 – с гибкими выводами без кристаллодержателя (подложки)

2 – с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке)

3 – с жесткими выводами без кристаллодержателя (подложки)

4 – с жесткими выводами на кристаллодержателе (подложке)

5 – с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без выводов (кристалл);

б – с контактными площадками' на кристаллодержателе (подложке), но без выводов (кристалл на подложке).

Таким образом, современная система обозначений позво­ляет по наименованию типа получить значительный объем ин­формации о свойствах транзистора.

Примеры обозначений некоторых транзисторов:

КТ604А — кремниевый биполярный, средней мощности, высокочастотный, номер разработки 04, группа А;

2Т920А — кремниевый биполярный, большой мощности, высокочастотный, номер разработки 20, группа А;

КТ937А—2 кремниевый биполярный, большой мощно­сти, высокочастотный, номер разработки 37, группа А, бес­корпусный, с гибкими выводами на кристаллодержателе;

2ПС202А-2 — набор маломощных кремниевых полевых транзисторов средней частоты, номер разработки 02, группа А, бескорпусный, с гибкими выводами на кристаллодержа­теле.

Для большинства транзисторов, включенных в настоящий Портал, использована система обозначений согласно ра­нее действовавшим ГОСТ 10862-64 и ГОСТ 10862-72, кото­рая в своей основе не отличается от описанной. Однако у биполярных транзисторов, разработанных до 1964 г. и выпус­каемых до настоящего времени, условные обозначения типа состоят из двух или трех элементов.

Первый элемент обозначения — буква П, характеризую­щая класс биполярных транзисторов, или две буквы МП для транзисторов в корпусе, герметизируемом способом холодной сварки.

Второй элемент — одно-, двух- или трехзначное число, которое определяет порядковый номер разработки и указыва­ет на подкласс транзистора по роду исходного полупроводни­кового материала, значениям допустимой рассеиваемой мощ­ности и граничной (или предельной) частоты:


от 1 до 99 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 101 до 199 – кремниевые маломощные низкочастотные транзисторы

от 201 до 299 – германиевые маломощные низкочастотные транзисторы;

от 301 до 399 - кремниевые мощные низкочастотные транзисторы;

от 401 до 499 — германиевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 501 до 599 — кремниевые высокочастотные и СВЧ маломощные транзисторы;

от 601 до 699 — германиевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы;

от 701 до 799 — кремниевые высокочастотные и СВЧ мощные транзисторы.

Третий элемент обозначения (у некоторых типов он может отсутствовать) — буква, условно определяющая классифика­цию по параметрам транзисторов, изготовленных по единой технологии.

Примеры обозначения некоторых транзисторов:

П213А — германиевый мощный низкочастотный, номер разработки 13, группа А;

П702А — кремниевый мощный высокочастотный, номер разработки 02, группа А.

Классификация транзисторов по функциональному назначению.

В настоящем разделе наряду с нашедшей отражение в системе условных обозначений типов транзисторов классифи­кацией приведена классификация биполярных транзисторов по частоте: низкочастотные (fгр. < 30 МГц); высокочастотные (30 МГц < /гр < 300 МГц); сверхвысокочастотные (fгр > 300 МГц).

Биполярные транзисторы в соответствии с основными об­ластями применения подразделяются на следующие группы:

усилительные (сверхчастотные, высоковольтные, высокочастот­ные линейные); генераторные (высокочастотные, сверхвысо­кочастотные, сверхвысокочастотные с согласующими цепями);

переключательные высоковольтные и импульсные высоковольт­ные).

По своему основному назначению полевые транзисторы делятся на усилительные, генераторные и переключательные. Каждая из перечисленных групп характеризуется специфичес­кой системой параметров и справочных зависимостей, отражающих особенности применения транзисторов в радиоектронной аппаратуре.

Транзисторы серии ГТ(1Т)3...









Наимен.

тип

Uкбо(и),В

Uкэо(и), В

Iкmax(и), мА

Pкmax(т), Вт

h21э

Iкбо, мкА

fгр., МГц

Кш, Дб

ГТ(1Т)313А

p-n-p

15

15

30

0.1

20-250

5

300

-

ГТ(1Т)313Б


15

15

30

0.1

20-250

5

450

-

ГТ(1Т)313В

15

15

30

0.1

30-170

5

350

-

ГТ(1Т)328А

15

15

10

0.05

20-200

10

400

7

ГТ(1Т)328Б

15

15

10

0.05

40-200


10

300

7

ГТ(1Т)328В

15

15

10

0.05

10-70

10

300

7

ГТ(1Т)346А

20

20

10

0.05

10-150

10

700

3

ГТ(1Т)346Б

20

20

10

0.05

10-150


10

550

5.5

ГТ(1Т)346В

20

20

10

0.05

15-150

10

550

6



следующая страница >>